三星宣已量产3nm芯片：功耗降低45%！

三星电子今天放出全球文告称已经开始量产 3nm 工艺芯片！

这也是全球首个实现 3nm 芯片量产的企业，打败了台积电 TSMC 以及 Intel。TSMC 预计将在今年下半年开始量产 3nm 芯片，而 Intel 则是 2023 年下半年。

此外，这一代量产的三星 3nm 芯片和之前的三星芯片有一个决定性的不同，那就是摒弃了 FinFET 而转用最新的 GAA (Gate All Around) 晶体管架构。

根据三星的情报，3nm 加上这个架构为新款芯片带来了极大的能耗进步。

与传统的 5 纳米芯片相比，新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。

三星还称，第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。

三星电子在文告中没有透露首批 3nm 芯片的客户身份，不过有分析师表示首批客户应该是三星本身和中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体。

根据数据提供商 TrendForce 的数据，台积电（TSMC）是世界上最先进的代工芯片制造商，控制着全球 54% 的芯片合同生产市场，苹果和高通等没有自己半导体设施的公司都是其客户。

三星以 16.3% 的市场份额排名第二。

彭博社分析师认为三星电子首发 3nm 制程芯片在这 12 个月内并不能撼动 TSMC 在芯片生产的领导地位，因为新款芯片需要时间来证明它能带来更好的性能和功耗表现，以及比 TSMC N3 架构更好的成本效益。

至于 3nm GAA 工艺能不能解决三星芯片这几年一直以来被全部人诟病的能效问题，则要等待实际产品推出了。

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